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型号： FQD20N06LTF
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD20N06LTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD20N06LTF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD20N06LTF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 17.2A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD20N06LTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD20N06LTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQD20N06LTF 是由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。以下是该型号的一些典型应用场景：

1. 电源管理：
   - 该 MOSFET 常用于开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中，作为主开关或同步整流器。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高效率。
   - 在电池管理系统（BMS）中，可用于控制充电和放电路径。

2. 电机驱动：
   - FQD20N06LTF 可用于驱动小型直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）。它能够快速切换状态，提供高效的电流控制，适用于消费电子、家用电器和工业自动化领域。

3. 负载开关：
   - 该器件可用作负载开关，控制电路中的电流流动。例如，在智能手机、平板电脑等便携式设备中，用于管理和保护电源路径，确保系统稳定运行。

4. 过流保护：
   - 利用其内置的过流保护功能，FQD20N06LTF 可以在电流超过设定阈值时自动关断，防止损坏下游电路。这在汽车电子和工业控制系统中尤为重要。

5. 信号调理：
   - 在某些应用中，MOSFET 还可以用作模拟开关或缓冲器，处理低频信号。例如，在音频放大器或传感器接口电路中，实现信号的隔离和放大。

6. LED 驱动：
   - 该 MOSFET 可用于驱动高亮度 LED 灯具，特别是在需要精确电流控制的应用中，如汽车前大灯、背光显示和景观照明。

7. 逆变器和 UPS 系统：
   - 在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，FQD20N06LTF 可用于功率级转换，帮助实现高效的能量传输和电压调节。

总的来说，FQD20N06LTF 凭借其出色的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子应用，尤其适合需要高效、紧凑和低成本解决方案的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQD20N06LTF
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	630pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	13nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	60 毫欧 @ 8.6A，10V
供应商器件封装	D-Pak
功率-最大值	2.5W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
标准包装	2,000
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	17.2A （Tc）