ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQD20N06LETM
Datasheet下载- 型号： FQD20N06LETM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD20N06LETM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD20N06LETM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD20N06LETM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 17.2A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD20N06LETM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD20N06LETM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FQD20N06LETM是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具体应用场景如下： 1. 电源管理 FQD20N06LETM适用于各种电源管理应用，如开关电源、DC-DC转换器和电池充电电路。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高效率，特别适合需要高效能的便携式设备和消费电子产品。 2. 电机控制 该MOSFET可用于驱动小型直流电机或步进电机，广泛应用于家电、电动工具和工业自动化设备中。其快速开关特性和低损耗特性使其在电机启动、调速和制动时表现优异。 3. 负载切换 在汽车电子和工业控制系统中，FQD20N06LETM可以用于负载切换，如继电器替代、LED驱动和传感器接口等。它能够快速响应负载变化，确保系统的稳定性和可靠性。 4. 过流保护 该MOSFET可以用作过流保护器件，通过检测电流并在超过设定阈值时切断电路，防止过载和短路对系统造成损害。其内置的热关断功能进一步增强了保护性能。 5. 逆变器和UPS系统 在逆变器和不间断电源（UPS）系统中，FQD20N06LETM可以作为功率级开关元件，实现高效的能量转换和稳定的输出电压。其耐压能力（60V）和低导通电阻使其能够在这些应用中表现出色。 6. 通信设备 在通信基站和网络设备中，FQD20N06LETM可用于电源模块和信号处理电路，提供可靠的电力传输和信号隔离。其小尺寸和高集成度有助于简化设计并节省空间。 总结 FQD20N06LETM凭借其低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性，广泛应用于电源管理、电机控制、负载切换、过流保护、逆变器和通信设备等领域。其高性能和可靠性使其成为众多电子系统中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD20N06LETM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 665pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 8.6A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17.2A （Tc） |
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