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  • 型号: FQD1N80TM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQD1N80TM产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD1N80TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD1N80TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD1N80TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 800V 1A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak。您可以下载FQD1N80TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD1N80TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 800V 1A DPAKMOSFET Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1 A

Id-连续漏极电流

1 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD1N80TMQFET®

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产品型号

FQD1N80TM

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

20 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

20 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

25 ns

下降时间

25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

195pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7.2nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

20 欧姆 @ 500mA,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252-3

其它名称

FQD1N80TM-ND
FQD1N80TMTR

典型关闭延迟时间

15 ns

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

正向跨导-最小值

0.75 S

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1A (Tc)

系列

FQD1N80

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQD1N80TM_NL

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