ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FQD1N80TM
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FQD1N80TM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD1N80TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD1N80TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD1N80TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 800V 1A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak。您可以下载FQD1N80TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD1N80TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 800V 1A DPAKMOSFET Power MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
Id-连续漏极电流 | 1 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD1N80TMQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQD1N80TM |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 20 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 25 ns |
下降时间 | 25 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 195pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.2nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 欧姆 @ 500mA,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252-3 |
其它名称 | FQD1N80TM-ND |
典型关闭延迟时间 | 15 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
正向跨导-最小值 | 0.75 S |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1A (Tc) |
系列 | FQD1N80 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQD1N80TM_NL |