图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: FQD18N20V2TM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

FQD18N20V2TM产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD18N20V2TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD18N20V2TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD18N20V2TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 15A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) D-Pak。您可以下载FQD18N20V2TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD18N20V2TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQD18N20V2TM 是由 ON Semiconductor 生产的单通道 N 沟道增强型 MOSFET,其应用场景广泛,尤其适用于高效率、高可靠性要求的电力电子系统。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 电源管理
   FQD18N20V2TM 可用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中。由于其低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,提高转换效率。此外,该器件的快速开关特性使其在高频开关应用中表现出色,适合用于笔记本电脑适配器、手机充电器等消费类电子产品。

 2. 电机驱动
   在电机控制领域,FQD18N20V2TM 可作为功率级驱动元件,用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机等的驱动电路中。其低导通电阻和高电流承载能力可以减少发热,延长系统的使用寿命。同时,MOSFET 的快速开关速度有助于实现精确的电机控制,特别是在变频调速和伺服控制系统中。

 3. 工业自动化
   在工业自动化设备中,FQD18N20V2TM 可用于各种负载的开关控制,如电磁阀、继电器、加热元件等。其耐高压(200V)特性使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作,确保系统的可靠性和安全性。

 4. 汽车电子
   FQD18N20V2TM 也可应用于汽车电子系统中,如车载充电器、LED 照明、电动助力转向(EPS)等。其高可靠性和宽温度范围(-55°C 至 +175°C)使其能够在极端环境下保持稳定性能,满足汽车行业对元器件的严格要求。

 5. 太阳能逆变器
   在光伏逆变器中,FQD18N20V2TM 可用于最大功率点跟踪(MPPT)电路和逆变输出级。其高效能和低损耗特性有助于提高太阳能发电系统的整体效率,减少能量损失。

 6. 通信设备
   在通信基站、服务器等设备中,FQD18N20V2TM 可用于电源模块中的功率开关,确保稳定的电压输出和高效的能量转换,支持长时间不间断运行。

总之,FQD18N20V2TM 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各类电力电子设备中,尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 15A DPAKMOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

15 A

Id-连续漏极电流

15 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD18N20V2TMQFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FQD18N20V2TM

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

140 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

140 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

133 ns

下降时间

62 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1080pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

140 毫欧 @ 7.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252-3

其它名称

FQD18N20V2TMDKR

典型关闭延迟时间

38 ns

功率-最大值

2.5W

包装

Digi-Reel®

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

11 S

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

15A (Tc)

系列

FQD18N20V2

通道模式

Enhancement

配置

Single

FQD18N20V2TM 相关产品

PSMN7R5-30MLDX

品牌:Nexperia USA Inc.

价格:

FDP75N08

品牌:ON Semiconductor

价格:

IXTK20N150

品牌:IXYS

价格:

SI4420DY

品牌:Infineon Technologies

价格:¥3.92-¥3.92

ZVP2120A

品牌:Diodes Incorporated

价格:

SSM3J304T(TE85L,F)

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

价格:

IRLS3036-7PPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

2SJ661-DL-1E

品牌:ON Semiconductor

价格: