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FQD18N20V2TM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD18N20V2TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD18N20V2TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD18N20V2TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 15A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) D-Pak。您可以下载FQD18N20V2TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD18N20V2TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD18N20V2TM 是由 ON Semiconductor 生产的单通道 N 沟道增强型 MOSFET,其应用场景广泛,尤其适用于高效率、高可靠性要求的电力电子系统。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 FQD18N20V2TM 可用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中。由于其低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,提高转换效率。此外,该器件的快速开关特性使其在高频开关应用中表现出色,适合用于笔记本电脑适配器、手机充电器等消费类电子产品。 2. 电机驱动 在电机控制领域,FQD18N20V2TM 可作为功率级驱动元件,用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机等的驱动电路中。其低导通电阻和高电流承载能力可以减少发热,延长系统的使用寿命。同时,MOSFET 的快速开关速度有助于实现精确的电机控制,特别是在变频调速和伺服控制系统中。 3. 工业自动化 在工业自动化设备中,FQD18N20V2TM 可用于各种负载的开关控制,如电磁阀、继电器、加热元件等。其耐高压(200V)特性使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作,确保系统的可靠性和安全性。 4. 汽车电子 FQD18N20V2TM 也可应用于汽车电子系统中,如车载充电器、LED 照明、电动助力转向(EPS)等。其高可靠性和宽温度范围(-55°C 至 +175°C)使其能够在极端环境下保持稳定性能,满足汽车行业对元器件的严格要求。 5. 太阳能逆变器 在光伏逆变器中,FQD18N20V2TM 可用于最大功率点跟踪(MPPT)电路和逆变输出级。其高效能和低损耗特性有助于提高太阳能发电系统的整体效率,减少能量损失。 6. 通信设备 在通信基站、服务器等设备中,FQD18N20V2TM 可用于电源模块中的功率开关,确保稳定的电压输出和高效的能量转换,支持长时间不间断运行。 总之,FQD18N20V2TM 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各类电力电子设备中,尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 15A DPAKMOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
Id-连续漏极电流 | 15 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD18N20V2TMQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQD18N20V2TM |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 140 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 133 ns |
下降时间 | 62 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1080pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 140 毫欧 @ 7.5A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252-3 |
其它名称 | FQD18N20V2TMDKR |
典型关闭延迟时间 | 38 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 11 S |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A (Tc) |
系列 | FQD18N20V2 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |