【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FQD16N25CTM_F080】封装/厂家_FQD16N25CTM_F080中文资料_价格

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型号： FQD16N25CTM_F080
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD16N25CTM_F080由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD16N25CTM_F080价格参考。Fairchild SemiconductorFQD16N25CTM_F080封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 250V 16A（Tc） 160W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD16N25CTM_F080参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD16N25CTM_F080 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQD16N25CTM_F080 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号具有 250V 的漏源极击穿电压 (Vds) 和 16A 的连续漏极电流 (Id)，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要的应用场景：

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FQD16N25CTM_F080 可用于开关电源中的功率开关，例如降压、升压或反激式转换器。
   - 其高电压耐受能力和低导通电阻 (Rds(on)) 特性使其适合高效能的 DC-DC 转换应用。

 2. 电机驱动
   - 在工业自动化和消费电子领域，该 MOSFET 可用于驱动小型直流电机或步进电机。
   - 它能够快速切换并承受电机启动时的瞬态电流。

 3. 逆变器
   - 适用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，作为功率级开关元件。
   - 高频开关能力有助于提高逆变器的效率和功率密度。

 4. 负载开关
   - 在需要动态控制负载的电路中，如汽车电子或家电设备中，该 MOSFET 可用作高效的负载开关。
   - 其低导通电阻特性可减少功率损耗，提升系统效率。

 5. 保护电路
   - 可用于过流保护、短路保护或热保护电路中，作为开关元件。
   - 快速响应速度和良好的热稳定性使其在保护电路中表现优异。

 6. 汽车电子
   - 在汽车应用中，如电动车窗、雨刷控制系统或 LED 照明驱动，该 MOSFET 可提供可靠的开关性能。
   - 符合汽车级标准的产品版本还可用于更严苛的工作环境。

 7. 家用电器
   - 在空调、冰箱、洗衣机等家用电器中，可用于压缩机驱动、风扇控制或其他功率管理模块。

 总结
FQD16N25CTM_F080 凭借其高电压、大电流和低导通电阻的特点，广泛应用于各种功率转换和控制场景。其具体应用取决于系统设计需求，包括工作电压、电流等级和频率要求等。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQD16N25CTM_F080
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1080pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	53.5nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	270 毫欧 @ 8A，10V
供应商器件封装	D-Pak
功率-最大值	160W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
标准包装	2,500
漏源极电压(Vdss)	250V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	16A （Tc）