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  • 型号: FQD16N25CTM_F080
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD16N25CTM_F080由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD16N25CTM_F080价格参考。Fairchild SemiconductorFQD16N25CTM_F080封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 250V 16A(Tc) 160W(Tc) D-Pak。您可以下载FQD16N25CTM_F080参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD16N25CTM_F080 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 250V 16A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FQD16N25CTM_F080

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1080pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

53.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

270 毫欧 @ 8A,10V

供应商器件封装

D-Pak

功率-最大值

160W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

250V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

16A (Tc)

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