ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQD13N10LTM_NBEL001
Datasheet下载- 型号： FQD13N10LTM_NBEL001
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD13N10LTM_NBEL001由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD13N10LTM_NBEL001价格参考。Fairchild SemiconductorFQD13N10LTM_NBEL001封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD13N10LTM_NBEL001参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD13N10LTM_NBEL001 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD13N10LTM_NBEL001 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
