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  • 型号: FQD10N20CTM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD10N20CTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD10N20CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD10N20CTM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQD10N20CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD10N20CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAKMOSFET N-CH/200V/10A/QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7.8 A

Id-连续漏极电流

7.8 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD10N20CTMQFET®

数据手册

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产品型号

FQD10N20CTM

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

50 W

Pd-功率耗散

50 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

360 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

360 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

92 ns

下降时间

72 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

510pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

360 毫欧 @ 3.9A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252-3

其它名称

FQD10N20CTM-ND
FQD10N20CTMTR

典型关闭延迟时间

70 ns

功率-最大值

50W

包装

带卷 (TR)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

360 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

汲极/源极击穿电压

200 V

漏极连续电流

7.8 A

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.8A (Tc)

系列

FQD10N20

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQD10N20CTM_NL

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