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  • 型号: FQB9N50CTM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQB9N50CTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB9N50CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB9N50CTM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB9N50CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB9N50CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 9A D2PAKMOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

9 A

Id-连续漏极电流

9 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB9N50CTMQFET®

数据手册

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产品型号

FQB9N50CTM

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

135 W

Pd-功率耗散

135 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

800 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

800 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

65 ns

下降时间

64 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1030pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

800 毫欧 @ 4.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263(D2Pak)

其它名称

FQB9N50CTMFSCT

典型关闭延迟时间

93 ns

功率-最大值

135W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

1.312 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

6.5 S

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9A (Tc)

系列

FQB9N50

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQB9N50CTM_NL

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