数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB55N10TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB55N10TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB55N10TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB55N10TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB55N10TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAKMOSFET 100V N-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 55 A |
Id-连续漏极电流 | 55 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB55N10TMQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQB55N10TM |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 3.75 W |
Pd-功率耗散 | 3.75 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 26 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 26 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 250 ns |
下降时间 | 140 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2730pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26 毫欧 @ 27.5A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它名称 | FQB55N10TMDKR |
典型关闭延迟时间 | 110 ns |
功率-最大值 | 3.75W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 1.312 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 38 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 55A (Tc) |
系列 | FQB55N10 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |