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  • 型号: FQB50N06TM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQB50N06TM产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQB50N06TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB50N06TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB50N06TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.75W(Ta),120W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载FQB50N06TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB50N06TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQB50N06TM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其典型的应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源(SMPS):FQB50N06TM 的低导通电阻(Rds(on))和高效率特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中,该 MOSFET 可作为主开关元件,实现高效的电压调节。
   - 负载开关:用于控制电路的通断,保护下游电路免受过流或短路的影响。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器(如风扇、水泵)中的电机驱动,提供高效、可靠的开关功能。
   - H 桥电路:在双向电机控制应用中,FQB50N06TM 可用作 H 桥的一部分,实现电机正转、反转和制动。

 3. 电池管理系统
   - 电池保护:用于锂电池或其他可充电电池组的充放电保护电路中,防止过流、短路或反接等问题。
   - 电量监测:通过精确控制电流流动,帮助实现电池电量的准确监测。

 4. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车窗升降器、座椅调节器等需要低功耗、高可靠性的应用场景。
   - LED 照明驱动:用于汽车 LED 灯的亮度调节和开关控制。

 5. 工业自动化
   - 继电器替代:在需要快速开关响应的场合,可以用 FQB50N06TM 替代传统机械继电器,提高系统可靠性。
   - 传感器接口:为传感器供电或信号放大提供高效的开关控制。

 6. 消费类电子产品
   - 便携式设备:如移动电源、蓝牙音箱等,利用其低功耗特性延长电池续航时间。
   - USB 充电器:用于 USB 接口的过流保护和电流分配。

 特性总结
FQB50N06TM 的额定电压为 60V,最大持续漏极电流可达 5A,具有较低的导通电阻(典型值为 0.098Ω),能够有效降低功率损耗。同时,其小型封装(如 DPAK 或 SOIC)使其适合空间受限的设计。

总之,FQB50N06TM 广泛应用于需要高效开关、低功耗和高可靠性的各种电子设备中,尤其是在电源管理和电机驱动领域表现优异。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAKMOSFET 60V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

50 A

Id-连续漏极电流

50 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB50N06TMQFET®

数据手册

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产品型号

FQB50N06TM

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

3.75 W

Pd-功率耗散

3.75 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

22 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

22 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

105 ns

下降时间

65 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1540pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

41nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

22 毫欧 @ 25A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D²PAK

其它名称

FQB50N06TMFSDKR

典型关闭延迟时间

60 ns

功率-最大值

3.75W

包装

Digi-Reel®

单位重量

1.312 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

22 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

50A (Tc)

系列

FQB50N06

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQB50N06TM_NL

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