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FQB50N06TM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB50N06TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB50N06TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB50N06TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.75W(Ta),120W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载FQB50N06TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB50N06TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB50N06TM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其典型的应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源(SMPS):FQB50N06TM 的低导通电阻(Rds(on))和高效率特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。 - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中,该 MOSFET 可作为主开关元件,实现高效的电压调节。 - 负载开关:用于控制电路的通断,保护下游电路免受过流或短路的影响。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器(如风扇、水泵)中的电机驱动,提供高效、可靠的开关功能。 - H 桥电路:在双向电机控制应用中,FQB50N06TM 可用作 H 桥的一部分,实现电机正转、反转和制动。 3. 电池管理系统 - 电池保护:用于锂电池或其他可充电电池组的充放电保护电路中,防止过流、短路或反接等问题。 - 电量监测:通过精确控制电流流动,帮助实现电池电量的准确监测。 4. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、座椅调节器等需要低功耗、高可靠性的应用场景。 - LED 照明驱动:用于汽车 LED 灯的亮度调节和开关控制。 5. 工业自动化 - 继电器替代:在需要快速开关响应的场合,可以用 FQB50N06TM 替代传统机械继电器,提高系统可靠性。 - 传感器接口:为传感器供电或信号放大提供高效的开关控制。 6. 消费类电子产品 - 便携式设备:如移动电源、蓝牙音箱等,利用其低功耗特性延长电池续航时间。 - USB 充电器:用于 USB 接口的过流保护和电流分配。 特性总结 FQB50N06TM 的额定电压为 60V,最大持续漏极电流可达 5A,具有较低的导通电阻(典型值为 0.098Ω),能够有效降低功率损耗。同时,其小型封装(如 DPAK 或 SOIC)使其适合空间受限的设计。 总之,FQB50N06TM 广泛应用于需要高效开关、低功耗和高可靠性的各种电子设备中,尤其是在电源管理和电机驱动领域表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAKMOSFET 60V N-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
Id-连续漏极电流 | 50 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB50N06TMQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQB50N06TM |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 3.75 W |
Pd-功率耗散 | 3.75 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 22 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 105 ns |
下降时间 | 65 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1540pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 25A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它名称 | FQB50N06TMFSDKR |
典型关闭延迟时间 | 60 ns |
功率-最大值 | 3.75W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 1.312 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 22 S |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |
系列 | FQB50N06 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQB50N06TM_NL |