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Datasheet下载- 型号： FQB4N80TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FQB4N80TM产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB4N80TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB4N80TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB4N80TM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 800V 3.9A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） D²PAK（TO-263AB）。您可以下载FQB4N80TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB4N80TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAKMOSFET 800V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 3.9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB4N80TMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQB4N80TM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.13 W |
| Pd-功率耗散 | 3.13 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.6 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.6 欧姆 @ 1.95A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263-2 |
| 其它名称 | FQB4N80TMDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3.6 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 3.8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 800 V |
| 漏极连续电流 | 3.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.9A （Tc） |
| 系列 | FQB4N80 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
