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  • 型号: FQB47P06TM_AM002
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQB47P06TM_AM002由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB47P06TM_AM002价格参考¥7.19-¥7.19。Fairchild SemiconductorFQB47P06TM_AM002封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB47P06TM_AM002参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB47P06TM_AM002 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 60V 47A D2PAKMOSFET 60V P-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 47 A

Id-连续漏极电流

- 47 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB47P06TM_AM002QFET®

数据手册

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产品型号

FQB47P06TM_AM002

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

3.75 W

Pd-功率耗散

3.75 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

21 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

21 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 60 V

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

450 ns

下降时间

195 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3600pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

26 毫欧 @ 23.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263-2

其它名称

FQB47P06TM_AM002-ND
FQB47P06TM_AM002TR
FQB47P06TMAM002

典型关闭延迟时间

100 ns

功率-最大值

3.75W

包装

带卷 (TR)

单位重量

1.312 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

21 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

800

正向跨导-最小值

21 S

汲极/源极击穿电压

- 60 V

漏极连续电流

- 47 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

47A (Tc)

系列

FQB47P06

通道模式

Enhancement

配置

Single

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