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产品简介:
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FQB2NA90TM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有以下关键参数:耐压高达 900V,导通电阻低至 1.6 Ω(典型值),并且采用了 TO-220AC 封装形式,适用于高电压和中等功率的应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - FQB2NA90TM 的高耐压特性使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 - 它可以作为主开关管,在 PFC(功率因数校正)电路或反激式变换器中使用。 2. 电机驱动 - 在高电压电机驱动系统中,该 MOSFET 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。 - 特别适合应用于工业电机、家用电器(如空调压缩机、洗衣机)以及电动工具的驱动电路。 3. 逆变器 - FQB2NA90TM 可广泛应用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)和其他类型的逆变器中。 - 其高耐压性能确保了在高压环境下可靠运行,而较低的导通电阻则有助于减少功耗。 4. 电子负载保护 - 在过流保护、短路保护等电路中,该器件可以用作电子开关,快速切断故障电流以保护后端设备。 - 常见于适配器、充电器以及其他需要限流保护的场合。 5. 固态继电器 (SSR) - 由于其高耐压特性和良好的开关性能,FQB2NA90TM 可用于设计固态继电器,替代传统的机械继电器。 - 提供更长的使用寿命和更高的可靠性。 6. 照明系统 - 在 LED 驱动电路中,该 MOSFET 可用作开关元件,实现恒流或调光功能。 - 特别适用于高亮度 LED 照明或户外照明系统。 7. 其他工业应用 - 包括高压测试设备、焊接机、电加热装置等需要高电压切换的工业场景。 总结来说,FQB2NA90TM 凭借其高耐压、低导通电阻和稳定的性能,非常适合用于各种高电压、中等功率的电力电子应用中,能够有效提高系统的效率和可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQB2NA90TM |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 680pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.8 欧姆 @ 1.4A,10V |
供应商器件封装 | D²PAK |
功率-最大值 | 3.13W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 900V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.8A (Tc) |