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  • 型号: FQB22P10TM_F085
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FQB22P10TM_F085产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 100V 22A D2PAKMOSFET P-Chan, -100V, -22A 0.125HM@VGS=-10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

22 A

Id-连续漏极电流

22 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB22P10TM_F085QFET®

数据手册

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产品型号

FQB22P10TM_F085

Pd-PowerDissipation

3.75 W

Pd-功率耗散

3.75 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

125 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

125 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 100 V

Vds-漏源极击穿电压

- 100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

170 ns

下降时间

110 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

50nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

125 毫欧 @ 11A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263-2

其它名称

FQB22P10TM_F085DKR

典型关闭延迟时间

60 ns

功率-最大值

3.75W

包装

Digi-Reel®

单位重量

1.312 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

22A (Tc)

系列

FQB22P10

通道模式

Enhancement

配置

Single

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