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详细数据请看参考数据手册

型号： FQB13N50CTM
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQB13N50CTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB13N50CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB13N50CTM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 500V 13A（Tc） 195W（Tc） D²PAK（TO-263AB）。您可以下载FQB13N50CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB13N50CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQB13N50CTM 是由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的单通道 N 沟道增强型 MOSFET。这款晶体管具有 500V 的击穿电压，适用于高压应用场景。其典型应用场景包括但不限于以下几类：

 1. 开关电源（SMPS）
FQB13N50CTM 可用于开关电源中的功率转换电路。它能够承受高电压，并且具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于提高效率并减少发热。在开关电源中，该器件可以作为主开关管，控制能量传输到负载。

 2. 电机驱动
在电机驱动应用中，FQB13N50CTM 可以用于驱动直流电机或步进电机。由于其高耐压特性，它可以应用于需要较高电压驱动的场合，如工业自动化设备、电动工具等。此外，MOSFET 的快速开关特性也有助于实现精确的电机控制。

 3. 逆变器
在光伏逆变器或其他类型的电力逆变器中，FQB13N50CTM 可以用于将直流电转换为交流电。它能够在高频下工作，适合用于逆变器中的功率级电路，确保高效的能量转换和稳定的输出。

 4. 过流保护电路
该器件还可以用于设计过流保护电路。通过检测电流并通过栅极控制MOSFET的导通状态，可以有效防止电路中的过流现象，保护其他敏感元件免受损坏。

 5. 电磁阀控制
在工业控制系统中，FQB13N50CTM 可以用于控制电磁阀的开闭。由于其高耐压特性，它可以适应需要较高电压驱动的电磁阀，广泛应用于自动化工厂、农业灌溉系统等领域。

 6. LED 驱动
对于需要高电压驱动的大功率 LED 照明系统，FQB13N50CTM 可以用作开关元件，调节电流以确保 LED 的亮度稳定，并延长其使用寿命。

总之，FQB13N50CTM 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于多种高压、大功率的应用场景，特别是在电力电子领域有着广泛的应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQB13N50CTM
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2055pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	56nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	480 毫欧 @ 6.5A，10V
供应商器件封装	D²PAK
功率-最大值	195W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
标准包装	800
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	13A （Tc）