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FQA8N100C产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA8N100C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA8N100C价格参考¥22.92-¥22.92。Fairchild SemiconductorFQA8N100C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1000V 8A(Tc) 225W(Tc) TO-3PN。您可以下载FQA8N100C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQA8N100C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQA8N100C 是由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其主要应用场景包括但不限于以下几种: 1. 开关电源 (SMPS) FQA8N100C 的高耐压特性(1000V)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。它可以在高频条件下高效地导通和关断,从而减少能量损耗,提高电源转换效率。常见的应用包括离线式开关电源、DC-DC 转换器等。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,FQA8N100C 可以用作功率开关,控制电机的启动、停止和调速。由于其低导通电阻(Rds(on)),可以有效降低发热,提高系统的可靠性和效率。适用于工业自动化设备、家用电器中的电机控制系统。 3. 逆变器 该器件可用于光伏逆变器、UPS(不间断电源)等设备中,作为主功率回路的开关元件。它的高耐压和快速开关特性有助于提高逆变器的工作效率,并确保系统在不同负载条件下的稳定运行。 4. 电力保护电路 FQA8N100C 可用于过流保护、短路保护等电力保护电路中。通过检测电流大小并迅速切断电路,防止因过载或短路导致的设备损坏。其快速响应时间和低导通电阻使得它在保护电路中表现出色。 5. 脉宽调制 (PWM) 控制 在 PWM 控制电路中,FQA8N100C 可以用作开关元件,调节输出电压或电流。其快速开关速度和低开关损耗使得它非常适合用于需要精确控制的应用,如LED驱动、音频放大器等。 6. 汽车电子 在汽车电子领域,FQA8N100C 可用于车载充电器、电动助力转向系统、空调压缩机等高压应用中。其高可靠性、高耐压和低导通电阻特性使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。 总之,FQA8N100C 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效、可靠功率控制的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3PMOSFET 1000V N-Channe MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
Id-连续漏极电流 | 8 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQA8N100CQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQA8N100C |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 225 W |
Pd-功率耗散 | 225 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.45 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.45 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 95 ns |
下降时间 | 80 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3220pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.45 欧姆 @ 4A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-3PN |
其它名称 | FQA8N100C-ND |
典型关闭延迟时间 | 122 ns |
功率-最大值 | 225W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.401 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
封装/箱体 | TO-3PN-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 8 S |
漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Tc) |
系列 | FQA8N100C |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |