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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 900V 6A TO-3PMOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
Id-连续漏极电流 | 6 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQA6N90C_F109QFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQA6N90C_F109 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 198 W |
Pd-功率耗散 | 198 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.3 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.3 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 90 ns |
下降时间 | 60 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1770pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.3 欧姆 @ 3A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-3PN |
典型关闭延迟时间 | 55 ns |
功率-最大值 | 198W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.401 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
封装/箱体 | TO-3PN-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 900V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A (Tc) |
系列 | FQA6N90 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |