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FQA65N20产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA65N20由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA65N20价格参考。Fairchild SemiconductorFQA65N20封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 65A(Tc) 310W(Tc) TO-3PN。您可以下载FQA65N20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQA65N20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQA65N20 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) FQA65N20 的高电压耐受能力(最大 VDS = 200V)和低导通电阻(RDS(on) 典型值为 0.18Ω @ VGS=10V)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。例如,在 DC-DC 转换器、反激式转换器或正激式转换器中作为主开关管。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于驱动中小功率直流电机或步进电机。其快速开关速度和较低的导通损耗有助于提高效率,同时支持较高的工作电压范围以适应不同类型的电机控制需求。 3. 负载开关 在需要对负载进行动态控制的应用中(如汽车电子、工业设备),FQA65N20 可用作高效的负载开关。它能够快速响应并减少能量损失,同时提供良好的热性能。 4. 逆变器与变频器 由于其出色的电气特性和可靠性,FQA65N20 常被应用于小型逆变器或变频器中,用于将直流电转换为交流电,或者调节输出频率和电压。 5. 电池管理系统 (BMS) 在电动车、储能系统或其他便携式设备的电池管理中,这款 MOSFET 可用作保护开关或均衡电路元件,确保电池组的安全运行及延长使用寿命。 6. LED 驱动器 对于高亮度 LED 照明产品,FQA65N20 可充当电流调节器或调光控制器,实现精确的电流控制并降低功耗。 7. 家电与消费电子产品 它广泛应用于各类家用电器(如吸尘器、风扇等)以及消费类电子产品(如笔记本适配器、充电器)中,提供稳定且高效的工作表现。 总之,FQA65N20 凭借其优异的电气参数、紧凑的封装形式(TO-252/DPAK)以及经济实惠的价格,在众多电力电子领域都有着广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 65A TO-3PMOSFET 200V N-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 65 A |
Id-连续漏极电流 | 65 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQA65N20QFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQA65N20 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 310 W |
Pd-功率耗散 | 310 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 32 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 32 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 640 ns |
下降时间 | 275 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7900pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 200nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 32 毫欧 @ 32.5A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-3PN |
其它名称 | FQA65N20-ND |
典型关闭延迟时间 | 340 ns |
功率-最大值 | 310W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.401 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
封装/箱体 | TO-3PN-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 58 S |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 65A (Tc) |
系列 | FQA65N20 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQA65N20_NL |