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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA46N15由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA46N15价格参考。Fairchild SemiconductorFQA46N15封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQA46N15参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQA46N15 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 150V 50A TO-3PMOSFET 150V N-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
Id-连续漏极电流 | 50 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQA46N15QFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQA46N15 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 250 W |
Pd-功率耗散 | 250 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 42 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 42 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 320 ns |
下降时间 | 200 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3250pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 42 毫欧 @ 25A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-3PN |
其它名称 | FQA46N15-ND |
典型关闭延迟时间 | 210 ns |
功率-最大值 | 250W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.401 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
封装/箱体 | TO-3P-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 36 S |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |
系列 | FQA46N15 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQA46N15_NL |