ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQA38N30
Datasheet下载- 型号： FQA38N30
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA38N30由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA38N30价格参考。Fairchild SemiconductorFQA38N30封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 300V 38.4A（Tc） 290W（Tc） TO-3PN。您可以下载FQA38N30参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQA38N30 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQA38N30是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它属于N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备和系统中。以下是该型号的一些主要应用场景： 1. 电源管理：FQA38N30适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等电源管理系统。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少传导损耗，提高效率，特别适合于需要高效能和低功耗的应用场景。 2. 电机驱动：在电机控制电路中，FQA38N30可用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机。它能够承受较高的电流和电压波动，确保电机稳定运行，并且可以通过PWM（脉宽调制）信号实现速度调节。 3. 负载开关：作为负载开关使用时，FQA38N30可以快速响应负载变化，提供过流保护和短路保护功能。例如，在汽车电子、消费电子产品等领域，它可以用于控制电池供电的开启与关闭。 4. 逆变器和变频器：FQA38N30也可用于逆变器和变频器的设计中，帮助将直流电转换为交流电或者改变频率以适应不同负载需求。它的高开关速度和低开关损耗使其成为这些应用的理想选择。 5. 太阳能光伏系统：在光伏发电系统中，FQA38N30可用于最大功率点跟踪（MPPT）控制器，优化太阳能板输出功率，同时还能起到隔离保护作用，防止反向电流对组件造成损害。 总之，FQA38N30凭借其优良的电气性能和可靠性，非常适合用作高效、可靠的电力传输和控制元件，尤其适用于要求高性能、小尺寸和低成本解决方案的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 38.4A TO-3P |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQA38N30 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 19.2A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 功率-最大值 | 290W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38.4A （Tc） |
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