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  • 型号: FQA36P15
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQA36P15产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQA36P15由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA36P15价格参考¥询价-¥询价。Fairchild SemiconductorFQA36P15封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 150V 36A(Tc) 294W(Tc) TO-3PN。您可以下载FQA36P15参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQA36P15 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQA36P15 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 P 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有以下特点和应用场景:

 特点
1. 低导通电阻:FQA36P15 的导通电阻(Rds(on))较低,通常在 30 mΩ 或更低(具体取决于工作条件),这有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高电流能力:能够处理高达 27 A 的连续漏极电流(Id),适用于大功率应用。
3. 耐压范围广:额定漏源电压(Vds)为 150 V,适合中高压电路设计。
4. 快速开关性能:具备较低的栅极电荷(Qg),支持高频开关操作。
5. 小封装尺寸:采用 DPAK 封装,节省 PCB 空间,便于紧凑型设计。

 应用场景
1. 电源管理:
   - 用于 DC-DC 转换器中的开关元件,例如降压或升压转换器。
   - 在负载开关中作为电子开关,控制电源的通断。

2. 电机驱动:
   - 驱动小型直流电机或步进电机,提供高效且可靠的电流控制。
   - 在 H 桥或半桥电路中实现电机的正反转控制。

3. 电池管理系统 (BMS):
   - 用于保护电路中,防止过流、短路或反向连接等问题。
   - 控制电池充放电路径,确保系统安全运行。

4. 照明控制:
   - 在 LED 照明系统中调节亮度或实现调光功能。
   - 提供高效的电流驱动能力,延长灯具寿命。

5. 工业自动化:
   - 用作固态继电器替代传统机械继电器,提高可靠性和响应速度。
   - 在传感器接口电路中隔离高低电压区域。

6. 消费电子产品:
   - 应用于笔记本电脑适配器、平板电脑或其他便携设备的电源模块。
   - 支持 USB 充电端口的动态功率分配。

总结来说,FQA36P15 以其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于需要高效功率转换和精确电流控制的各种领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 150V 36A TO-3PMOSFET 150V P-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

36 A

Id-连续漏极电流

36 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQA36P15QFET®

数据手册

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产品型号

FQA36P15

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

294 W

Pd-功率耗散

294 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

90 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

90 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 150 V

Vds-漏源极击穿电压

- 150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

350 ns

下降时间

150 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3320pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

105nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

90 毫欧 @ 18A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-3P

典型关闭延迟时间

155 ns

功率-最大值

294W

包装

管件

单位重量

6.401 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-3PN-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

19.5 S

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

36A (Tc)

系列

FQA36P15

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQA36P15_NL

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