Datasheet下载- 型号： FQA34N25
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA34N25由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA34N25价格参考。Fairchild SemiconductorFQA34N25封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQA34N25参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQA34N25 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQA34N25 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。其主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS) FQA34N25 具有 250V 的漏源击穿电压 (Vds)，适合用于开关电源中的高压开关应用，例如降压或升压转换器、反激式变换器等。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用作电机驱动电路中的开关元件，适用于小型直流电机、步进电机或伺服电机的控制。其低导通电阻 (Rds(on)) 特性有助于减少功耗，提高效率。 3. 负载开关 在需要高效负载切换的应用中，FQA34N25 可作为负载开关使用，例如消费电子设备中的电池管理或电源分配系统。 4. 逆变器 它可用于小型逆变器设计，将直流电转换为交流电，适用于太阳能微逆变器或其他便携式逆变器应用。 5. 保护电路 FQA34N25 可用于过流保护、短路保护或浪涌电流抑制电路中，确保系统的安全性和稳定性。 6. 汽车电子 在汽车领域，这款 MOSFET 可用于车身控制系统、车窗升降器、雨刷电机控制以及 LED 照明驱动等应用。 7. 工业自动化 该器件适用于工业控制中的继电器替代、电磁阀驱动和信号隔离等场景。 FQA34N25 的关键特性使其在高效率、高可靠性的应用中表现出色，例如低 Rds(on)（典型值为 270mΩ）、快速开关速度和出色的热性能。这些特点使得它成为许多电力电子应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 34A TO-3P |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQA34N25 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 17A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 功率-最大值 | 245W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 450 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 34A （Tc） |
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