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型号： FQA28N15_F109
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQA28N15_F109由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA28N15_F109价格参考。Fairchild SemiconductorFQA28N15_F109封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 227W（Tc） TO-3PN。您可以下载FQA28N15_F109参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQA28N15_F109 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQA28N15_F109 是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用场景。

 应用场景：

1. 电源管理：
   FQA28N15_F109 适合用于直流-直流（DC-DC）转换器中，作为主开关或同步整流器。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高效率。在开关电源（SMPS）设计中，该MOSFET可以有效地控制电流流动，确保稳定的电压输出。

2. 电机驱动：
   在无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机驱动应用中，FQA28N15_F109 可以用作逆变器的开关元件。它能够快速切换电流方向，实现高效的电机控制，同时保持较低的发热水平。

3. 电池管理系统（BMS）：
   该MOSFET可用于电池保护电路中，作为充电和放电路径的开关。其低导通电阻有助于减少电池充放电过程中的能量损失，延长电池寿命并提高系统效率。

4. 汽车电子：
   在汽车电子领域，FQA28N15_F109 可应用于车身控制模块（BCM）、电动助力转向（EPS）、空调系统等。它能够在严苛的工作环境下稳定运行，并且具备良好的抗电磁干扰能力。

5. 工业自动化：
   在工业控制系统中，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等，FQA28N15_F109 可用于信号隔离、负载切换等功能。其高可靠性和耐用性使其成为工业应用的理想选择。

6. 消费电子：
   在笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等消费电子产品中，FQA28N15_F109 可用于高效电源转换和负载管理，确保设备在不同工作模式下的稳定供电。

总之，FQA28N15_F109 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别适合需要高效能、低损耗和高可靠性的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQA28N15_F109
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	52nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	90 毫欧 @ 16.5A，10V
供应商器件封装	TO-3P
功率-最大值	227W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
标准包装	30
漏源极电压(Vdss)	150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	33A （Tc）