ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FQA13N80
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA13N80由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA13N80价格参考。Fairchild SemiconductorFQA13N80封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 12.6A(Tc) 300W(Tc) TO-3PN。您可以下载FQA13N80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQA13N80 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQA13N80 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 88nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 750 毫欧 @ 6.3A,10V |
供应商器件封装 | TO-3PN |
功率-最大值 | 300W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12.6A (Tc) |