【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FQA13N50CF_F109】封装/厂家_FQA13N50CF_F109中文资料_价格

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型号： FQA13N50CF_F109
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQA13N50CF_F109由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA13N50CF_F109价格参考。Fairchild SemiconductorFQA13N50CF_F109封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 500V 15A（Tc） 218W（Tc） TO-3PN。您可以下载FQA13N50CF_F109参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQA13N50CF_F109 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQA13N50CF_F109 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产。这款器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
FQA13N50CF_F109 广泛应用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等。由于其低导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功耗，提高电源效率。在这些应用中，MOSFET 作为开关元件，控制电流的通断，确保电压和电流的稳定输出。

 2. 电机驱动
该器件适合用于电机驱动电路，尤其是在无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动中。MOSFET 的高速开关特性和低损耗特性使得它能够在高频下高效工作，减少发热并延长电机寿命。此外，它还可以用于电动工具、家用电器和工业自动化设备中的电机控制。

 3. 逆变器
FQA13N50CF_F109 在光伏逆变器、不间断电源（UPS）和其他类型的逆变器中也有广泛应用。MOSFET 在这些系统中起到关键作用，负责将直流电转换为交流电。其快速开关特性和低损耗特性有助于提高逆变器的效率，减少能量损失。

 4. 电池管理系统（BMS）
在电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）以及便携式电子设备的电池管理系统中，FQA13N50CF_F109 可以用作充电和放电控制的关键元件。通过精确控制电流的通断，确保电池的安全性和长寿命。

 5. 负载开关
该器件还适用于负载开关应用，特别是在需要频繁切换大电流负载的情况下。例如，在服务器、通信设备和消费电子产品中，MOSFET 可以快速响应负载变化，确保系统的稳定运行。

 6. 保护电路
FQA13N50CF_F109 还可以用于过流保护、短路保护等电路中。其内置的雪崩击穿保护功能可以在发生异常时提供额外的安全保障，防止电路损坏。

总之，FQA13N50CF_F109 凭借其优异的电气性能和可靠性，成为电力电子领域中不可或缺的元器件，广泛应用于各类高效、可靠的电力转换和控制电路中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 500V 15A TO-3P
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQA13N50CF_F109
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	FRFET™
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2055pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	56nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	480 毫欧 @ 7.5A，10V
供应商器件封装	TO-3PN
功率-最大值	218W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
标准包装	450
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	15A （Tc）