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Datasheet下载- 型号： FQA13N50CF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA13N50CF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA13N50CF价格参考。Fairchild SemiconductorFQA13N50CF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 15A（Tc） 218W（Tc） TO-3PN。您可以下载FQA13N50CF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQA13N50CF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQA13N50CF 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款器件具有多种应用场景，尤其适用于需要高效、低损耗和高可靠性的电路设计。 1. 电源管理 FQA13N50CF 常用于各种电源管理应用中，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）和电池充电器。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少传导损耗，提高电源效率。此外，该器件的快速开关速度使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，FQA13N50CF 可以用作功率级的一部分，控制电机的启停、转速和方向。它能够承受较高的电流和电压，适合驱动小型到中型的无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电动机。其低导通电阻也有助于减少发热，延长系统的使用寿命。 3. 逆变器 FQA13N50CF 在光伏逆变器和不间断电源（UPS）中也有广泛应用。这些应用要求MOSFET具备高效的开关性能和良好的热稳定性，以确保在长时间运行过程中保持稳定的工作状态。该器件的耐压能力（Vds = 500V）使其能够在高压环境下可靠工作。 4. 工业自动化 在工业自动化领域，FQA13N50CF 可用于控制各种负载，如电磁阀、继电器和其他执行器。其紧凑的封装形式（TO-220FP）便于安装在空间有限的工业设备中。同时，该器件的高可靠性也使得它在恶劣的工业环境中表现出色。 5. 消费电子 在消费电子产品中，如笔记本电脑适配器、智能手机充电器等，FQA13N50CF 可以作为主开关元件，提供高效的能量转换。其低功耗和小尺寸特点使其成为便携式设备的理想选择。 总之，FQA13N50CF 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、工业自动化以及消费电子等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 15A TO-3PMOSFET 500V N-Ch C-FET (FRFET) |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQA13N50CFFRFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQA13N50CF |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 218 W |
| Pd-功率耗散 | 218 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 480 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 480 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 100 ns |
| 下降时间 | 100 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2055pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 480 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 典型关闭延迟时间 | 130 ns |
| 功率-最大值 | 218W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3PN-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Tc） |
| 系列 | FQA13N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQA13N50CF_NL |
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