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  • 型号: FMY4AT148
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FMY4AT148产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN/PNP DARL 50V 5SMT两极晶体管 - BJT NPN/PNP 50V 150MA

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor FMY4AT148-

数据手册

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产品型号

FMY4AT148

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 1mA,6V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SMT5

其它名称

FMY4AT148DKR

功率-最大值

300mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

7 V, - 6 V

商标

ROHM Semiconductor

增益带宽产品fT

180 MHz, 140 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-74A,SOT-753

封装/箱体

SC-74A-5

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管

最大功率耗散

300 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.15 A

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

150mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

直流电流增益hFE最大值

560

直流集电极/BaseGainhfeMin

120

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

集电极—射极饱和电压

0.4 V, - 0.5 V

集电极连续电流

150 mA

频率-跃迁

180MHz,140MHz

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