ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > FMMT625TA
Datasheet下载- 型号： FMMT625TA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FMMT625TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMMT625TA价格参考。Diodes Inc.FMMT625TA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 150V 1A 135MHz 625mW 表面贴装 SOT-23-3。您可以下载FMMT625TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FMMT625TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FMMT625TA是由Diodes Incorporated生产的一款双极性晶体管（BJT），属于单晶体管类型。其主要应用场景包括： 1. 开关电路：FMMT625TA适用于各种开关应用，例如在数字电路中作为开关元件，用于控制其他电子组件的通断状态。它的快速开关特性和低饱和电压使其成为高效开关的理想选择。 2. 信号放大：该晶体管可用于音频设备、传感器信号调理以及其他需要小信号放大的场合。其高增益特性能够有效地放大微弱信号，确保输出信号的质量和强度。 3. 射频（RF）应用：FMMT625TA适合低功率射频放大器的设计，如无线通信模块中的前置放大器或混频器电路。其优良的高频性能保证了在射频范围内的稳定工作。 4. 电源管理：在便携式设备或低功耗系统中，这款晶体管可以用于简单的电流源、限流保护以及稳压电路等，帮助实现高效的电源管理。 5. 脉宽调制（PWM）驱动：对于小型电机控制、LED驱动等领域，FMMT625TA可以通过PWM技术来调节输出功率，提供精确的速度或亮度控制。 总之，FMMT625TA凭借其优异的电气参数和可靠性，在消费电子产品、工业自动化、通信设备等多个领域都有广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS SS NPN 150V 1000MA SOT23-3两极晶体管 - BJT NPN SuperSOT |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FMMT625TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FMMT625TA |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 50mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 200mA，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | FMMT625 |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 135 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 150V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 10 mA at 10 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 10 mA at 10 V, 300 at 200 mA at 10 V, 30 at 1 A at 10 V |
| 系列 | FMMT625 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 150 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 150 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 180 mV |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 135MHz |
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