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  • 型号: FMMT493ATA
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FMMT493ATA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMMT493ATA价格参考¥1.25-¥1.72。Diodes Inc.FMMT493ATA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FMMT493ATA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FMMT493ATA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FMMT493ATA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 单类型器件。该型号的应用场景主要包括以下方面:

1. 信号放大:FMMT493ATA 适合用于低噪声、小信号放大的场合,例如音频前置放大器、射频(RF)信号放大器等。其高增益特性能够有效地增强微弱信号。

2. 开关应用:由于其快速开关特性和低饱和电压,该晶体管适用于各种数字逻辑电平的开关电路,如继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制等。

3. 无线通信设备:在无线通信领域中,FMMT493ATA 可以用作混频器、振荡器或缓冲器的一部分,特别是在需要高频性能的场景下。

4. 消费电子产品:这款 BJT 常见于便携式电子设备中,比如手机、平板电脑和其他手持设备内的电源管理单元或者音频处理部分。

5. 传感器接口:对于一些需要将模拟传感器输出转换为更大范围电压值的应用来说,使用 FMMT493ATA 进行信号调理是非常合适的。

6. 脉宽调制 (PWM):在 PWM 控制电路中,该晶体管可以用作功率级元件来实现高效的能量传输与调节功能。

总之,FMMT493ATA 凭借其优良的电气参数,在众多需要高性能双极型晶体管的电子设计中都具有广泛的应用价值。选择具体应用场景时还需考虑实际工作条件下的电流、电压及频率要求等因素。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR NPN MED PWR SOT23-3两极晶体管 - BJT NPN Medium Power

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FMMT493ATA-

数据手册

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产品型号

FMMT493ATA

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 100mA,1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

300 @ 250mA,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3

其它名称

FMMT493ATR

功率-最大值

500mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

150 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

0.5 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流电流增益hFE最大值

300 at 1 mA at 10 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

300 at 1 mA at 10 V, 500 at 150 mA at 10 V, 300 at 250 mA at 10 V, 100 at 500 mA at 10 V, 20 at 1 A at 10 V

系列

FMMT493

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

60 V

集电极—基极电压VCBO

120 V

集电极—射极饱和电压

0.5 V

集电极连续电流

1 A

频率-跃迁

150MHz

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