ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > FMMT459TA
Datasheet下载- 型号： FMMT459TA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FMMT459TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMMT459TA价格参考￥1.16-￥1.16。Diodes Inc.FMMT459TA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 450V 150mA 50MHz 625mW 表面贴装 SOT-23-3。您可以下载FMMT459TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FMMT459TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FMMT459TA是由Diodes Incorporated生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 单器件，具有多种应用场景。以下是其主要应用领域： 1. 低噪声放大器：FMMT459TA具有低噪声系数和高增益特性，适用于需要高信噪比的射频（RF）和微波信号放大电路。例如，在无线通信设备、卫星接收系统以及雷达系统中，它可以用于前端低噪声放大，确保信号在传输过程中保持高质量。 2. 高频开关电路：该晶体管的工作频率范围较宽，适合用于高频开关应用。例如，在数字电路中的高速开关、脉冲调制电路以及电源管理模块中，它能够快速响应并实现稳定的开关操作，从而提高系统的效率和可靠性。 3. 混频器与倍频器：FMMT459TA可用于构建混频器和倍频器，特别是在射频通信系统中。通过非线性工作模式，它可以有效地将两个输入频率混合或倍频，生成所需的输出频率，广泛应用于无线通信基站、移动终端和其他无线电设备中。 4. 振荡器与调制器：该晶体管可以作为核心元件构建各种类型的振荡器，如LC振荡器、晶体振荡器等。此外，它还适用于调制电路，如AM/FM调制器，为音频信号处理提供稳定可靠的性能支持。 5. 保护电路：由于其良好的电流控制能力和耐压特性，FMMT459TA也可用于设计过流保护、短路保护等安全防护电路，确保电子设备在异常情况下免受损害。 总之，FMMT459TA凭借其优异的电气性能，在通信、消费电子、工业控制等多个领域有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS SW NPN 450V 150MA SOT23-3两极晶体管 - BJT NPN Hi-V Sw 500V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FMMT459TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FMMT459TA |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 90mV @ 6mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 30mA，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | FMMT459TACT |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 806 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 450V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 50 at 30 mA at 10 V |
| 系列 | FMMT459 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 450 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 500 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 70 mV |
| 集电极连续电流 | 0.15 A |
| 频率-跃迁 | 50MHz |
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