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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN 160V 0.8A 6-SSOT两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Xsistr |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FMBS2383- |
数据手册 | |
产品型号 | FMBS2383 |
PCN封装 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 100mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 6-SSOT |
其它名称 | FMBS2383CT |
功率-最大值 | 630mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 36 mg |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
封装/箱体 | SSOT-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 630 W |
最大直流电集电极电流 | 800 mA |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 160V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 800mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
系列 | FMBS2383 |
集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
集电极连续电流 | 800 mA |
频率-跃迁 | 120MHz |