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  • 型号: FK3506010L
  • 制造商: Panasonic Corporation
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FK3506010L由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FK3506010L价格参考。Panasonic CorporationFK3506010L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FK3506010L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FK3506010L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 60V 100MA SMINI3MOSFET NCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 mA

Id-连续漏极电流

100 mA

品牌

PanasonicPanasonic Electronic Components - Semiconductor Products

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Panasonic FK3506010L-

数据手册

http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJE7003+FK350601+8+WW

产品型号

FK3506010LFK3506010L

Pd-PowerDissipation

150 mW

Pd-功率耗散

150 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

15 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

15 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.2 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 1µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

12pF @ 3V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

12 欧姆 @ 10mA,4V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SMini3-F2-B

其它名称

FK3506010LCT

典型关闭延迟时间

100 ns

功率-最大值

150mW

包装

剪切带 (CT)

商标

Panasonic

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

15 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

SC-85

封装/箱体

SMini-3-F2-B

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 85 C

最小工作温度

- 40 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

60 mS

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

100 mA

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100mA (Ta)

配置

Single

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