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  • 型号: FJV4102RMTF
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FJV4102RMTF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FJV4102RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV4102RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV4102RMTF封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载FJV4102RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJV4102RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 50V/100mA/10K 10K

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Fairchild Semiconductor FJV4102RMTF-

数据手册

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产品型号

FJV4102RMTF

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 5mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

FJV4102RMTFDKR

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

200mW

功率耗散

0.2 W

包装

Digi-Reel®

单位重量

60 mg

发射极-基极电压VEBO

- 10 V

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

直流集电极/BaseGainhfeMin

30

系列

FJV4102R

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

- 0.1 A

频率-跃迁

200MHz

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