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产品简介:
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FJV3109RMTF 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的预偏置双极型晶体管 (BJT),属于单晶体管类型。其应用场景主要包括以下方面: 1. 信号放大: FJV3109RMTF 可用于音频、射频或其他信号的放大电路中,尤其是在需要高增益和低噪声性能的场景下。其预偏置特性简化了设计,使器件能够更稳定地工作在放大区。 2. 开关应用: 该晶体管适用于各种开关电路,例如继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制等。预偏置设计有助于减少外部元件需求,提高系统可靠性。 3. 电源管理: 在一些低功耗或便携式设备中,FJV3109RMTF 可用于稳压电路或负载开关,帮助实现高效的电源管理功能。 4. 通信设备: 由于其出色的射频性能,该晶体管可用于无线通信模块中的信号处理部分,如调制解调器或收发器前端。 5. 工业自动化: 在传感器接口、数据采集系统或过程控制系统中,FJV3109RMTF 能够提供稳定的信号放大和开关功能,支持工业级应用的需求。 6. 消费电子产品: 包括家用音响设备、遥控器、玩具等在内的消费类电子产品中,这款晶体管可以用来实现简单的信号处理或控制功能。 总之,FJV3109RMTF 凭借其预偏置特性和高性能参数,非常适合需要简单设计、高可靠性和高效能表现的应用场合。具体使用时需根据实际电路要求选择合适的外围元件并进行合理布局。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FJV3109RMTF |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
频率-跃迁 | 250MHz |