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  • 型号: FJP2145TU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FJP2145TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJP2145TU价格参考。Fairchild SemiconductorFJP2145TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJP2145TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJP2145TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN ESVC 2A TO-220AB两极晶体管 - BJT ESBC Rated NPN Power Transistor

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FJP2145TUESBC™

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产品型号

FJP2145TU

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

2V @ 300mA,1.5A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

20 @ 200mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-220

功率-最大值

120W

包装

管件

单位重量

1.800 g

发射极-基极电压VEBO

7 V

商标

Fairchild Semiconductor

增益带宽产品fT

15 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

120 W

最大工作温度

+ 125 C

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

800V

电流-集电极(Ic)(最大值)

5A

电流-集电极截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流电流增益hFE最大值

40

直流集电极/BaseGainhfeMin

20

系列

FJP2145

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

800 V

集电极—基极电压VCBO

1100 V

集电极—射极饱和电压

0.151 V

集电极连续电流

5 A

频率-跃迁

15MHz

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