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Datasheet下载- 型号： FJN3303FBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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FJN3303FBU产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN3303FBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN3303FBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJN3303FBU封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 400V 1.5A 4MHz 650mW 通孔 TO-92。您可以下载FJN3303FBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN3303FBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 400V 1.5A TO92两极晶体管 - BJT Hi Voltage Fast Swth NPN Power Transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FJN3303FBU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FJN3303FBU |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 3V @ 500mA，1.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 14 @ 500mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92 |
| 功率-最大值 | 650mW |
| 包装 | 散装 |
| 单位重量 | 179 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 9 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1.1 W |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 400V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 10µA （ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 14 |
| 系列 | FJN3303 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 频率-跃迁 | 4MHz |
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