ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > FH105A-TR-E
Datasheet下载- 型号： FH105A-TR-E
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FH105A-TR-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FH105A-TR-E价格参考。ON SemiconductorFH105A-TR-E封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 10V 30mA 8GHz 150mW Surface Mount 6-MCP。您可以下载FH105A-TR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FH105A-TR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FH105A-TR-E 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性射频晶体管（BJT），专为高频和射频应用设计。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 射频放大器 FH105A-TR-E 可用于射频信号的功率放大，特别是在无线通信系统中。其高增益和低噪声特性使其非常适合驱动级或中间级放大器的应用，例如： - 无线通信设备：如对讲机、无线耳机、遥控器等。 - 射频模块：在物联网（IoT）设备中用于信号增强。 2. 高频振荡器 该晶体管可以用于构建高频振荡器电路，生成稳定的射频载波信号。其高频性能使得它适用于以下场景： - 本地振荡器：为混频器提供稳定的参考信号。 - 时钟信号生成：在需要精确频率控制的系统中。 3. 混频器电路 FH105A-TR-E 的非线性特性可用于混频器设计，将输入信号与本地振荡信号混合以生成新的频率分量。这种应用常见于： - 无线电接收机：用于下变频处理。 - 雷达系统：生成特定的频率信号。 4. 调制与解调电路 在射频通信系统中，该晶体管可用于实现调幅（AM）、调频（FM）或调相（PM）功能。具体应用包括： - 信号调制器：将基带信号转换为射频信号。 - 信号解调器：从射频信号中提取原始信息。 5. 低噪声前置放大器 由于 FH105A-TR-E 具有较低的噪声系数，它可以作为射频接收系统的前置放大器，提高系统的灵敏度。适用于： - 卫星接收器：增强微弱信号。 - 无线传感器网络：提升远距离通信能力。 6. 工业与医疗设备 在一些工业和医疗设备中，该晶体管可用于射频能量传输或信号处理，例如： - RF 加热设备：用于材料加工或医疗理疗。 - 超声波设备：驱动换能器或处理回波信号。 总结 FH105A-TR-E 凭借其优异的射频性能，广泛应用于无线通信、信号处理、工业控制和医疗设备等领域。其主要优势在于高频工作能力、低噪声特性和高增益输出，能够满足多种复杂射频系统的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 30MA 10V MCP6 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FH105A-TR-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 0.95 @ 10mA， 5V |
| 供应商器件封装 | 6-MCP |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.4dB @ 1.5GHz |
| 增益 | 10dB @ 1.5GHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 10V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 30mA |
| 频率-跃迁 | 8GHz |
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