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Datasheet下载- 型号： FGPF15N60UNDF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGPF15N60UNDF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGPF15N60UNDF价格参考。Fairchild SemiconductorFGPF15N60UNDF封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT NPT 600V 30A 42W Through Hole TO-220F-3。您可以下载FGPF15N60UNDF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGPF15N60UNDF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGPF15N60UNDF是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于超快速沟道场效应晶体管（Ultrafast Trench Gate Field Effect Transistor, UGBT）系列。其应用场景广泛，尤其适用于高功率和高频开关应用。 主要应用场景： 1. 电源管理： - FGPF15N60UNDF常用于各种电源管理系统中，如开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC converters）等。它能够高效地进行电压转换，确保系统稳定运行。 - 在不间断电源（UPS）中，该MOSFET可以实现快速响应和高效的能量传递，保证在市电中断时，负载设备能够持续获得稳定的电力供应。 2. 电机驱动： - 该MOSFET适用于电机驱动电路，尤其是在工业自动化、家用电器和电动汽车等领域。它能够承受高电流和高电压，确保电机启动和运行过程中的高效控制。 - 在电动工具中，FGPF15N60UNDF可以提供精确的电流控制，延长电池寿命并提高工作效率。 3. 逆变器： - 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，FGPF15N60UNDF用于将直流电转换为交流电。它的低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率，减少能量损失。 - 逆变器在可再生能源系统中的应用越来越广泛，这款MOSFET能够帮助提高系统的整体性能和可靠性。 4. 充电器： - 该MOSFET也广泛应用于各类充电器中，包括手机、笔记本电脑、平板电脑等电子设备的快速充电器。它可以有效管理充电电流和电压，确保充电过程的安全性和高效性。 - 在大功率充电器中，FGPF15N60UNDF能够处理更高的电流和电压，支持更快的充电速度。 性能优势： - 高耐压能力：该MOSFET的最大漏源极电压（VDS）可达600V，适用于高压环境下的应用。 - 低导通电阻：较低的导通电阻（RDS(on)）减少了传导损耗，提高了系统效率。 - 快速开关特性：具备快速的开关速度，减少了开关损耗，适合高频应用。 - 良好的热稳定性：能够在高温环境下保持稳定的性能，适用于严苛的工作条件。 综上所述，FGPF15N60UNDF凭借其优异的电气特性和可靠性，在多种高功率和高频开关应用中表现出色，是众多电子产品和工业设备的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 9.3ns/54.8ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 45A |
| 描述 | IGBT 600V 30A 42W TO-220FIGBT 晶体管 600V, 15A Short Circuit Rated IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 43nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGPF15N60UNDF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGPF15N60UNDF |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| SwitchingEnergy | 370µJ （开）， 67µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 15A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，15A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 42W |
| 功率耗散 | 17 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 反向恢复时间(trr) | 82.4ns |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 30 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220F |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 30A |
| 系列 | FGPF15N60UNDF |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
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