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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGPF10N60UNDF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGPF10N60UNDF价格参考。Fairchild SemiconductorFGPF10N60UNDF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGPF10N60UNDF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGPF10N60UNDF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 8ns/52.2ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 30A |
描述 | IGBT 600V 20A 42W TO-220FIGBT 晶体管 600V, 10A Short Circuit Rated IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 37nC |
IGBT类型 | NPT |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGPF10N60UNDF- |
数据手册 | |
产品型号 | FGPF10N60UNDF |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
SwitchingEnergy | 150µJ (开), 50µJ (关) |
TestCondition | 400V, 10A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.45V @ 15V,10A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 42W |
功率耗散 | 17 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.270 g |
反向恢复时间(trr) | 37.7ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 20 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220F |
工厂包装数量 | 50 |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 20A |
系列 | FGPF10N60UNDF |
输入类型 | 标准 |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2 V |