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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGP20N60UFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGP20N60UFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGP20N60UFDTU封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Field Stop 600V 40A 165W Through Hole TO-220-3。您可以下载FGP20N60UFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGP20N60UFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGP20N60UFDTU是一款MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于超快恢复沟道场效应晶体管(UGBT)系列,主要应用于需要高效、快速开关性能的电力电子设备中。以下是该型号的应用场景: 1. 工业电源:FGP20N60UFDTU适用于各种工业电源系统,如不间断电源(UPS)、开关电源(SMPS)等。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高电源转换效率,减少能量损耗。 2. 电机驱动:在电机驱动应用中,该MOSFET可用于逆变器和伺服驱动器中,提供高效的功率控制。其快速开关速度可以减少开关损耗,提高系统的整体性能和可靠性。 3. 太阳能逆变器:太阳能光伏系统中的逆变器是将直流电转换为交流电的关键组件。FGP20N60UFDTU的高效开关特性和低损耗特性使其成为太阳能逆变器的理想选择,能够提高能量转换效率,延长系统寿命。 4. 电动工具:电动工具如电钻、电锯等需要高效的功率管理。该MOSFET可以用于这些工具的电机驱动电路中,确保在高负载条件下仍能保持高效运行。 5. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV):在电动汽车和混合动力汽车中,MOSFET广泛应用于电池管理系统、DC-DC转换器和牵引逆变器中。FGP20N60UFDTU的快速开关特性和低导通电阻有助于提高车辆的能源利用效率,延长续航里程。 6. 消费电子产品:一些高性能的消费电子产品,如笔记本电脑适配器、LED照明驱动器等,也需要高效的功率管理。该MOSFET可以用于这些产品的电源管理模块中,提升产品的性能和能效。 总之,FGP20N60UFDTU凭借其卓越的开关性能和低损耗特性,广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在对效率和可靠性要求较高的领域。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 13ns/87ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 60A |
描述 | IGBT 600V 40A 165W TO220IGBT 晶体管 600V, 20A Field Stop |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 63nC |
IGBT类型 | 场截止 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGP20N60UFDTU- |
数据手册 | |
产品型号 | FGP20N60UFDTU |
SwitchingEnergy | 380µJ (开), 260µJ (关) |
TestCondition | 400V, 20A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V,20A |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220 |
功率-最大值 | 165W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
反向恢复时间(trr) | 35ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 400 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 40A |
系列 | FGP20N60UFD |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极最大连续电流Ic | 40 A |