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  • 型号: FGP15N60UNDF
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGP15N60UNDF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGP15N60UNDF价格参考。Fairchild SemiconductorFGP15N60UNDF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGP15N60UNDF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGP15N60UNDF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

9.3ns/54.8ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

45A

描述

IGBT 600V 30A 178W TO220-3IGBT 晶体管 600V 15A NPT IGBT

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

43nC

IGBT类型

NPT

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGP15N60UNDF-

数据手册

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产品型号

FGP15N60UNDF

SwitchingEnergy

370µJ (开), 67µJ (关)

TestCondition

400V, 15A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.7V @ 15V,15A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-220-3

功率-最大值

178W

功率耗散

178 W

包装

管件

单位重量

1.800 g

反向恢复时间(trr)

82.4ns

商标

Fairchild Semiconductor

在25C的连续集电极电流

30 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

+/- 10 uA

标准包装

50

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-fgp10n60undf-fgp15n60undf-igbt/3064

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

30A

系列

FGP15N60UNDF

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

2.7 V

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