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型号： FGP10N60UNDF
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FGP10N60UNDF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FGP10N60UNDF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGP10N60UNDF价格参考￥3.90-￥14.61。Fairchild SemiconductorFGP10N60UNDF封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT NPT 600V 20A 139W Through Hole TO-220-3。您可以下载FGP10N60UNDF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGP10N60UNDF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	8ns/52.2ns
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	30A
描述	IGBT 600V 20A 139W TO220-3IGBT 晶体管 600V 10A NPT IGBT
产品分类	IGBT - 单路分离式半导体
GateCharge	37nC
IGBT类型	NPT
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGP10N60UNDF-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FGP10N60UNDF
SwitchingEnergy	150µJ （开）， 50µJ （关）
TestCondition	400V， 10A， 10 欧姆， 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.45V @ 15V，10A
产品种类	IGBT 晶体管
供应商器件封装	TO-220-3
功率-最大值	139W
功率耗散	139 W
包装	管件
单位重量	1.800 g
反向恢复时间(trr)	37.7ns
商标	Fairchild Semiconductor
在25C的连续集电极电流	10 A
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
栅极—射极漏泄电流	+/- 10 uA
标准包装	50
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-fgp10n60undf-fgp15n60undf-igbt/3064
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极(Ic)（最大值）	20A
系列	FGP10N60UNDF
输入类型	标准
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	2.3 V