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产品简介:
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FGL60N100DTU 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高压 N 沟道 MOSFET,属于 UGBT(Ultra-Giga Block Transistor)系列。它具有 1000V 的高击穿电压和 60A 的最大连续漏极电流能力,适用于需要高电压、大功率处理的场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 工业电源 - FGL60N100DTU 可用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和逆变器等工业电源设备中。其高电压和低导通电阻特性使其能够高效地进行电力转换。 - 在不间断电源(UPS)系统中,这款 MOSFET 能够提供稳定的电力支持,确保设备在断电时正常运行。 2. 电机驱动 - 该器件适合驱动高压电机,例如工业机器人、自动化设备中的伺服电机或步进电机。其快速开关能力和低损耗有助于提高电机效率并减少发热。 3. 新能源领域 - 在太阳能逆变器和风力发电系统中,FGL60N100DTU 能够实现高效的能量转换和传输。其高耐压特性可以承受太阳能电池板或风力发电机输出的高电压。 - 也可用于电动汽车(EV)或混合动力汽车(HEV)的充电站和车载充电器中,为电池提供安全可靠的充电管理。 4. 固态继电器 - 这款 MOSFET 可用作固态继电器的核心元件,用于替代传统的机械继电器。它具有更快的开关速度、更长的使用寿命和更高的可靠性。 5. 焊接设备 - 在焊接机中,FGL60N100DTU 的高电压和大电流能力可以满足焊接过程对稳定电流的需求,同时保证设备的安全性和耐用性。 6. 照明系统 - 高压 LED 照明系统(如路灯或隧道灯)可以使用该 MOSFET 来控制电流,确保灯具在高压环境下稳定工作。 7. 脉冲功率应用 - 在需要短时间高功率输出的应用中,例如激光器驱动、X 射线设备或雷达系统,FGL60N100DTU 的高电压和快速开关特性非常适合。 总之,FGL60N100DTU 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于高电压、大功率的工业和能源领域,为各种复杂场景提供高效、稳定的解决方案。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | - |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
描述 | IGBT 1000V 60A 176W TO264 |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 230nC |
IGBT类型 | 沟道 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FGL60N100DTU |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | - |
TestCondition | - |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.9V @ 15V,60A |
供应商器件封装 | TO-264 |
功率-最大值 | 176W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 1.5µs |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
标准包装 | 375 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1000V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 60A |
输入类型 | 标准 |