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  • 型号: FGL60N100DTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGL60N100DTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGL60N100DTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGL60N100DTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGL60N100DTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGL60N100DTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FGL60N100DTU 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高压 N 沟道 MOSFET,属于 UGBT(Ultra-Giga Block Transistor)系列。它具有 1000V 的高击穿电压和 60A 的最大连续漏极电流能力,适用于需要高电压、大功率处理的场景。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 工业电源
   - FGL60N100DTU 可用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和逆变器等工业电源设备中。其高电压和低导通电阻特性使其能够高效地进行电力转换。
   - 在不间断电源(UPS)系统中,这款 MOSFET 能够提供稳定的电力支持,确保设备在断电时正常运行。

 2. 电机驱动
   - 该器件适合驱动高压电机,例如工业机器人、自动化设备中的伺服电机或步进电机。其快速开关能力和低损耗有助于提高电机效率并减少发热。

 3. 新能源领域
   - 在太阳能逆变器和风力发电系统中,FGL60N100DTU 能够实现高效的能量转换和传输。其高耐压特性可以承受太阳能电池板或风力发电机输出的高电压。
   - 也可用于电动汽车(EV)或混合动力汽车(HEV)的充电站和车载充电器中,为电池提供安全可靠的充电管理。

 4. 固态继电器
   - 这款 MOSFET 可用作固态继电器的核心元件,用于替代传统的机械继电器。它具有更快的开关速度、更长的使用寿命和更高的可靠性。

 5. 焊接设备
   - 在焊接机中,FGL60N100DTU 的高电压和大电流能力可以满足焊接过程对稳定电流的需求,同时保证设备的安全性和耐用性。

 6. 照明系统
   - 高压 LED 照明系统(如路灯或隧道灯)可以使用该 MOSFET 来控制电流,确保灯具在高压环境下稳定工作。

 7. 脉冲功率应用
   - 在需要短时间高功率输出的应用中,例如激光器驱动、X 射线设备或雷达系统,FGL60N100DTU 的高电压和快速开关特性非常适合。

总之,FGL60N100DTU 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于高电压、大功率的工业和能源领域,为各种复杂场景提供高效、稳定的解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

-

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

120A

描述

IGBT 1000V 60A 176W TO264

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

230nC

IGBT类型

沟道

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

FGL60N100DTU

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

-

TestCondition

-

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.9V @ 15V,60A

供应商器件封装

TO-264

功率-最大值

176W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

1.5µs

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-264-3,TO-264AA

标准包装

375

电压-集射极击穿(最大值)

1000V

电流-集电极(Ic)(最大值)

60A

输入类型

标准

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