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FGL60N100BNTD产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGL60N100BNTD由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGL60N100BNTD价格参考。Fairchild SemiconductorFGL60N100BNTD封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT NPT and Trench 1000V 60A 180W Through Hole TO-264。您可以下载FGL60N100BNTD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGL60N100BNTD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGL60N100BNTD 是一款由 ON Semiconductor 生产的 UGBT(超结功率 MOSFET)晶体管,属于单个 MOSFET 类别。该型号具有 600V 的击穿电压和 100A 的最大连续漏极电流,适用于多种高功率、高压应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 FGL60N100BNTD 广泛应用于各种电源管理系统中,如开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)等。它能够承受高电压和大电流,确保电源系统的稳定性和高效性。在这些应用中,MOSFET 作为开关元件,控制电力的传输和分配。 2. 电机驱动 该型号 MOSFET 适合用于工业电机驱动器中,尤其是在需要高功率输出的场合。它可以快速切换状态,减少开关损耗,提高电机的效率。此外,它还可以用于电动汽车中的电动机控制系统,帮助实现高效的能量转换和精确的速度控制。 3. 逆变器 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,FGL60N100BNTD 可以将直流电转换为交流电。由于其高耐压特性和低导通电阻,该 MOSFET 能够有效地处理逆变器中的高电压和大电流,同时保持较低的热损耗,延长设备的使用寿命。 4. 焊接设备 焊接设备通常需要高功率和高电压来产生足够的热量进行焊接操作。FGL60N100BNTD 可以满足这些需求,提供稳定的电流输出,确保焊接过程的可靠性和安全性。 5. 电池充电器 在大功率电池充电器中,FGL60N100BNTD 可以用于控制充电电流和电压,确保电池安全充电。它能够快速响应负载变化,避免过充或过放,保护电池的健康状态。 6. 工业自动化 在工业自动化系统中,FGL60N100BNTD 可以用于控制各种执行器和传感器,特别是在需要高功率输出的情况下。它能够提供快速的开关速度和低导通损耗,确保系统的高效运行。 总之,FGL60N100BNTD 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于高功率、高压的工业和消费电子领域,能够有效提升系统的效率和稳定性。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 140ns/630ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
描述 | IGBT 1000V 60A 180W TO264IGBT 晶体管 HIGH POWER |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 275nC |
IGBT类型 | NPT 和沟道 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGL60N100BNTD- |
数据手册 | |
产品型号 | FGL60N100BNTD |
SwitchingEnergy | - |
TestCondition | 600V, 60A, 51 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.9V @ 15V,60A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-264 |
其它名称 | FGL60N100BNTD-ND |
功率-最大值 | 180W |
功率耗散 | 180 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.756 g |
反向恢复时间(trr) | 1.2µs |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 60 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
封装/箱体 | TO-264-3 |
工厂包装数量 | 25 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 25 V |
栅极—射极漏泄电流 | +/- 500 nA |
标准包装 | 25 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1000V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 60A |
系列 | FGL60N100BNTD |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1000 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
集电极最大连续电流Ic | 60 A |
零件号别名 | FGL60N100BNTD_NL |