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  • 型号: FGL60N100BNTD
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FGL60N100BNTD产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGL60N100BNTD由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGL60N100BNTD价格参考。Fairchild SemiconductorFGL60N100BNTD封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT NPT and Trench 1000V 60A 180W Through Hole TO-264。您可以下载FGL60N100BNTD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGL60N100BNTD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FGL60N100BNTD 是一款由 ON Semiconductor 生产的 UGBT(超结功率 MOSFET)晶体管,属于单个 MOSFET 类别。该型号具有 600V 的击穿电压和 100A 的最大连续漏极电流,适用于多种高功率、高压应用场景。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   FGL60N100BNTD 广泛应用于各种电源管理系统中,如开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)等。它能够承受高电压和大电流,确保电源系统的稳定性和高效性。在这些应用中,MOSFET 作为开关元件,控制电力的传输和分配。

 2. 电机驱动
   该型号 MOSFET 适合用于工业电机驱动器中,尤其是在需要高功率输出的场合。它可以快速切换状态,减少开关损耗,提高电机的效率。此外,它还可以用于电动汽车中的电动机控制系统,帮助实现高效的能量转换和精确的速度控制。

 3. 逆变器
   在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,FGL60N100BNTD 可以将直流电转换为交流电。由于其高耐压特性和低导通电阻,该 MOSFET 能够有效地处理逆变器中的高电压和大电流,同时保持较低的热损耗,延长设备的使用寿命。

 4. 焊接设备
   焊接设备通常需要高功率和高电压来产生足够的热量进行焊接操作。FGL60N100BNTD 可以满足这些需求,提供稳定的电流输出,确保焊接过程的可靠性和安全性。

 5. 电池充电器
   在大功率电池充电器中,FGL60N100BNTD 可以用于控制充电电流和电压,确保电池安全充电。它能够快速响应负载变化,避免过充或过放,保护电池的健康状态。

 6. 工业自动化
   在工业自动化系统中,FGL60N100BNTD 可以用于控制各种执行器和传感器,特别是在需要高功率输出的情况下。它能够提供快速的开关速度和低导通损耗,确保系统的高效运行。

总之,FGL60N100BNTD 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于高功率、高压的工业和消费电子领域,能够有效提升系统的效率和稳定性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

140ns/630ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

120A

描述

IGBT 1000V 60A 180W TO264IGBT 晶体管 HIGH POWER

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

275nC

IGBT类型

NPT 和沟道

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGL60N100BNTD-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FGL60N100BNTD

SwitchingEnergy

-

TestCondition

600V, 60A, 51 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.9V @ 15V,60A

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-264

其它名称

FGL60N100BNTD-ND
FGL60N100BNTDFS

功率-最大值

180W

功率耗散

180 W

包装

管件

单位重量

6.756 g

反向恢复时间(trr)

1.2µs

商标

Fairchild Semiconductor

在25C的连续集电极电流

60 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-264-3,TO-264AA

封装/箱体

TO-264-3

工厂包装数量

25

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 25 V

栅极—射极漏泄电流

+/- 500 nA

标准包装

25

电压-集射极击穿(最大值)

1000V

电流-集电极(Ic)(最大值)

60A

系列

FGL60N100BNTD

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

1000 V

集电极—射极饱和电压

1.5 V

集电极最大连续电流Ic

60 A

零件号别名

FGL60N100BNTD_NL

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