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  • 型号: FGH80N60FDTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGH80N60FDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH80N60FDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGH80N60FDTU封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Field Stop 600V 80A 290W Through Hole TO-247。您可以下载FGH80N60FDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH80N60FDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

21ns/126ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

160A

描述

IGBT 600V 80A 290W TO247IGBT 晶体管 600V Field Stop

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

120nC

IGBT类型

场截止

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH80N60FDTU-

数据手册

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产品型号

FGH80N60FDTU

PCN组件/产地

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SwitchingEnergy

1mJ (开), 520µJ (关)

TestCondition

400V, 40A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.4V @ 15V,40A

产品目录页面

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产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247

功率-最大值

290W

包装

管件

单位重量

6.390 g

反向恢复时间(trr)

36ns

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

150

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

80A

系列

FGH80N60

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极最大连续电流Ic

80 A

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