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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGH80N60FD2TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH80N60FD2TU价格参考。Fairchild SemiconductorFGH80N60FD2TU封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Field Stop 600V 80A 290W Through Hole TO-247。您可以下载FGH80N60FD2TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH80N60FD2TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGH80N60FD2TU是一款MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT分类下的单个MOSFET。这款器件的主要应用场景包括但不限于以下几类: 1. 电源管理:FGH80N60FD2TU适用于各种电源管理系统,如开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和电池充电器等。其高耐压(600V)和低导通电阻特性使其能够高效地处理大功率和高电压应用。 2. 电机驱动:该MOSFET可用于驱动各类电机,如直流无刷电机(BLDC)、步进电机和伺服电机。它能够在高频下快速切换,减少能量损耗,提高系统的整体效率。 3. 逆变器:在太阳能逆变器和其他类型的电力转换设备中,FGH80N60FD2TU可以作为关键的开关元件。它能够承受高电压和大电流,确保逆变器在恶劣环境下稳定运行。 4. 工业自动化:在工业控制系统中,如可编程逻辑控制器(PLC)和运动控制系统,FGH80N60FD2TU可以用于控制电磁阀、继电器和其他执行机构。其快速响应时间和低功耗特性有助于提升系统的可靠性和性能。 5. 汽车电子:该MOSFET还适用于汽车电子领域,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和电动车辆(EV)的动力总成。其高温工作能力和抗干扰设计使其能够在严苛的汽车环境中保持稳定。 6. 家电产品:在家电领域,如空调、冰箱和洗衣机等大型家电中,FGH80N60FD2TU可以用于压缩机驱动和风扇控制。它能够提供高效的电力传输,延长设备的使用寿命。 总之,FGH80N60FD2TU凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于需要高效电力转换和控制的各种场景中。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 21ns/126ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
描述 | IGBT 600V 80A 290W TO247IGBT 晶体管 600V 80A Field Stop |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 120nC |
IGBT类型 | 场截止 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH80N60FD2TU- |
数据手册 | |
产品型号 | FGH80N60FD2TU |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
SwitchingEnergy | 1mJ (开), 520µJ (关) |
TestCondition | 400V, 40A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V,40A |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247 |
功率-最大值 | 290W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.390 g |
反向恢复时间(trr) | 61ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 150 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 80A |
系列 | FGH80N60 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极最大连续电流Ic | 80 A |