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Datasheet下载- 型号： FGH75T65UPD
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGH75T65UPD由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH75T65UPD价格参考。Fairchild SemiconductorFGH75T65UPD封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench Field Stop 650V 150A 375W Through Hole TO-247-3。您可以下载FGH75T65UPD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGH75T65UPD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGH75T65UPD是一款MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于超结MOSFET（Ultra Junction Field Effect Transistor, UJFET）类别，具体为单个MOSFET。这款器件具有以下主要特点和应用场景： 1. 高电压和大电流能力 FGH75T65UPD的最大漏源极电压（Vds）为650V，最大连续漏极电流（Id）为75A，这使得它适用于高压、大电流的应用环境。例如，在工业电源、逆变器、电机驱动等领域中，需要处理较高电压和较大电流的场合，这款MOSFET能够提供可靠的性能。 2. 低导通电阻 该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）较低，典型值为45mΩ，这意味着在导通状态下，功率损耗较小，效率更高。这对于要求高效能转换的应用非常重要，如开关电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等。 3. 快速开关特性 FGH75T65UPD具备快速开关特性，能够快速响应开关信号，减少开关损耗。这使得它非常适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、PWM控制器等。在这些应用中，快速的开关速度可以提高系统的整体效率，并降低电磁干扰（EMI）。 4. 耐高温性能 该MOSFET的工作温度范围较宽，能够在-55°C至175°C的环境中稳定工作。这种宽温特性使其适用于恶劣的工作环境，如汽车电子、航空航天等对温度要求较高的领域。 5. 封装形式 FGH75T65UPD采用TO-247封装，这种封装形式具有良好的散热性能，适合大功率应用。同时，它的引脚布局便于安装和焊接，简化了电路设计和制造工艺。 应用场景总结 - 工业电源：用于高效的AC-DC或DC-DC转换。 - 电机驱动：控制大功率电机，如电动车辆、工业机器人等。 - 太阳能逆变器：将直流电转换为交流电，用于并网发电系统。 - 不间断电源（UPS）：确保电力供应的稳定性，特别是在关键设备中。 - 电动汽车：用于车载充电器、逆变器等核心部件。 - 航空航天：应用于对可靠性和温度适应性要求极高的航空电子设备。 总之，FGH75T65UPD凭借其高电压、大电流、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于各种大功率、高效率的电力电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 32ns/166ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 225A |
| 描述 | IGBT 650V 150A 375W TO-247ABIGBT 晶体管 650V 150A 187W |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 385nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH75T65UPD- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGH75T65UPD |
| PCN封装 | |
| SwitchingEnergy | 2.85mJ （开）， 1.2mJ （关） |
| TestCondition | 400V, 75A, 3 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V，75A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 375W |
| 功率耗散 | 187 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 85ns |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 150 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150A |
| 系列 | FGH75T65 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.3 V |
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