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  • 型号: FGH60N60UFDTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGH60N60UFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH60N60UFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGH60N60UFDTU封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Field Stop 600V 120A 298W Through Hole TO-247。您可以下载FGH60N60UFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH60N60UFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的FGH60N60UFDTU是一款MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于超结MOSFET (Ultrafast Green Bipolar Transistor, UGBT) 类别。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压等优点,适用于多种电力电子应用场合。

主要应用场景包括:

1. 电源管理:
   - FGH60N60UFDTU广泛应用于开关电源(SMPS)中,如适配器、充电器、工业电源等。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率,降低能耗。
   - 用于不间断电源(UPS)系统中,确保在市电中断时能够迅速切换到备用电池供电,同时保持高效能。

2. 电机驱动:
   - 在电动工具、家用电器(如洗衣机、空调等)以及工业自动化设备中,该MOSFET可用于驱动直流无刷电机(BLDC)或步进电机。其高击穿电压和快速响应能力可以有效保护电路并提高系统的可靠性。

3. 太阳能逆变器:
   - 在光伏系统中,FGH60N60UFDTU用于将直流电转换为交流电。它能够在高频条件下工作,减少能量损失,提升逆变器的整体效率。

4. 汽车电子:
   - 适用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、电动汽车(EV)/混合动力汽车(HEV)的牵引逆变器等。该器件的高温性能和可靠性使其适合严苛的汽车环境。

5. LED照明驱动:
   - 在大功率LED照明系统中,该MOSFET用于调光控制和恒流源设计,确保LED灯具稳定运行,并提供高效的电能转换。

总之,FGH60N60UFDTU凭借其出色的电气性能和可靠性,在需要高效能、快速响应和高可靠性的电力电子领域有着广泛的应用前景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

23ns/130ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

180A

描述

IGBT 600V 120A 298W TO247IGBT 晶体管 N-Ch/ 60A 600V FS

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

188nC

IGBT类型

场截止

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH60N60UFDTU-

数据手册

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产品型号

FGH60N60UFDTU

SwitchingEnergy

1.81mJ (开), 810µJ (关)

TestCondition

400V, 60A, 5 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.4V @ 15V,60A

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247

功率-最大值

298W

包装

管件

单位重量

6.390 g

反向恢复时间(trr)

47ns

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247AB-3

工厂包装数量

150

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

120A

系列

FGH60N60

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

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60 A

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