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Datasheet下载- 型号： FGH40T65UPD
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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FGH40T65UPD产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGH40T65UPD由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH40T65UPD价格参考。Fairchild SemiconductorFGH40T65UPD封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-247-3。您可以下载FGH40T65UPD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGH40T65UPD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的FGH40T65UPD是一款MOSFET晶体管，属于“晶体管 - UGBT，MOSFET - 单”类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：FGH40T65UPD适用于各种开关电源设计，如AC-DC适配器、充电器和工业电源。其高电压耐受能力（650V）和低导通电阻特性使其在高频开关应用中表现优异。 2. 电机驱动：该器件可用于驱动中小功率电机，例如家用电器中的风扇、泵或压缩机。其快速开关特性和低损耗有助于提高效率并降低发热。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，FGH40T65UPD可以作为功率级开关，将直流电转换为交流电，支持高效的能量转换。 4. LED照明：用于驱动大功率LED灯串，特别是在恒流或恒压控制电路中，提供稳定可靠的电流调节功能。 5. 电磁阀控制：适用于需要高电压驱动的电磁阀应用，例如工业自动化设备或汽车系统中的流体控制装置。 6. 不间断电源（UPS）：作为关键组件参与UPS系统的逆变和稳压过程，确保电力供应的连续性。 7. 电动车/电动工具：可用于电动车控制器或电动工具的电池管理系统中，实现高效的能量管理和保护功能。 总之，FGH40T65UPD凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及绿色能源等领域，满足多种功率转换和控制需求。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 20ns/144ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
| 描述 | IGBT 650V 80A 268W TO-247ABIGBT 晶体管 650 V 80 A 268 W |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 177nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH40T65UPD- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGH40T65UPD |
| PCN封装 | |
| SwitchingEnergy | 1.59mJ （开）， 580µJ （关） |
| TestCondition | 400V， 40A， 7 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V，40A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 268W |
| 功率耗散 | 268 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.390 g |
| 反向恢复时间(trr) | 43ns |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 系列 | FGH40T65 |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |
