ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 > FGH40T100SMD
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FGH40T100SMD产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGH40T100SMD由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH40T100SMD价格参考。Fairchild SemiconductorFGH40T100SMD封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench Field Stop 1000V 80A 333W Through Hole TO-247-3。您可以下载FGH40T100SMD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH40T100SMD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 29ns/285ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
描述 | IGBT 1000V 80A 333W TO247-3IGBT 晶体管 1000V 40A Field Stop Trench IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 265nC |
IGBT类型 | 沟道和场截止 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH40T100SMD- |
数据手册 | |
产品型号 | FGH40T100SMD |
PCN封装 | |
SwitchingEnergy | 2.35mJ (开), 1.15mJ (关) |
TestCondition | 600V, 40A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V,40A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
功率-最大值 | 333W |
功率耗散 | 333 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.390 g |
反向恢复时间(trr) | 78ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 80 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 500 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1000V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 80A |
系列 | FGH40T100SMD |
输入类型 | 标准 |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1000 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.3 V |